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元件参数资料
>
参数目录40104
> AOP605 MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-PDIP
型号:
AOP605
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述:
MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-PDIP
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
AOP605 PDF
产品目录绘图
8-DIP
标准包装
5,000
系列
-
FET 型
N 和 P 沟道
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
7.5A,6.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
28 毫欧 @ 7.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
16.6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
820pF @ 15V
功率 - 最大
2.5W
安装类型
通孔
封装/外壳
8-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装
8-PDIP
包装
带卷 (TR)
其它名称
785-1140-2
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